طراحی مدار الکترونیک ۲

شرایط پروژه: طراحی شما باید شامل مدار تقویت‌کننده دو طبقه‌ای باشد که با فرض ورودی ولتاژ یا جریان، در طبقه خروجی بتواند دیود لیزری را راه‌اندازی کند. همچنین به همراه تقویت‌کننده باید شبکه فیدبک مناسبی با کمیت مصرفی دیود لیزری طراحی کنید تا کمیت خروجی دیود لیزری را نمونه‌برداری کند و آن را به طبقه ورودی برگرداند تا از نوسان کم شود. برای طبقه خروجی باید از گزارش تقویت‌کنندگی استفاده شود که مناسب‌ترین مقاومت خروجی حلقه بسته را برای دیود لیزری به دست دهد. در تحلیل می‌توانید برای سادگی دیود لیزری را به‌صورت یک مقاومت در نظر بگیرید. (مقدار مقاومت باید از مقادیر موجود در داده‌برگ استخراج شود. برای این منظور از مدل RLD65MZT7 استفاده کنید.) شما می‌توانید در طراحی خود از ترانزیستور BJT یا MOSFET به‌طور دلخواه استفاده کنید. خواسته‌های پروژه: با توجه به نقطه کار میانگین دیود لیزری و اینکه ترانزیستورها باید در ناحیه تقویت‌کنندگی بایاس شوند، مدار مناسب بایاس را به وسیله منبع ولتاژ یا منبع جریان طراحی کنید. (استفاده از خازن کوپل‌دار در صورت نیاز). همچنین نقطه کار ترانزیستورها را به‌طور دستی به دست آورده و مقادیر به‌دست‌آمده را با تحلیل شبیه‌سازی Bias Point مقایسه کنید. با توجه به شکل ورودی سیگنال ورودی دیود لیزری نسبت به توان‌سنج مربوط به منابع ولتاژ و جریان، وابستگی تقویت‌کنندگی طبقه‌ها و طراحی فیدبک را با هم طراحی کرده و با تحلیل‌سازی Time Domain عملکرد مدار را بررسی کنید. همچنین خروجی سیستم به‌صورت تقویت تغذیه DC با میزان 10+ و 10- مورد محک بزنید. به وسیله مدار شبیه‌سازی شده در نرم‌افزار Pspice و با بارگذاری آن، به‌طور دستی محاسبه شاخص‌های مدار حلقه بسته را انجام دهید. سپس بهره حلقه باز برای این مدار جدید را به وسیله ابزار Time Domain به‌دست آورید. در نهایت مقایسه بین بهره حلقه باز و بهره حلقه بسته. برای مدار نهایی مقاوت‌های داخلی I/O را به وسیله شبیه‌سازی و تحلیل شبیه‌سازی Pspice با همدیگر مقایسه کنید. در Pspice دوباره مدار حلقه بسته را تشکیل داده و موارد خواسته‌شده در بخش قبل را برای بهره حلقه باز و مقاومت‌های ورودی/خروجی تکرار کنید. هدف نهایی پروژه رابطه کمیت خروجی و مقاومت مشاهده‌شده در طبقه تقویت‌کننده مناسب حلقه بسته به‌کار رفته است.